色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > RGW80TS65DGC11

RGW80TS65DGC11

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-247N
數量：: 8791
說明：: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

一、本商品被瀏覽0次.

RGW80TS65DGC11 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：92 ns
測試條件：400V，40A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：44ns/143ns
柵極電荷：110 nC
輸入類型：標準
開關能量：760μJ（開），720μJ（關）
功率 - 最大值：214 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，40A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：78 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGW80TS65DGC11的詳細信息，包括RGW80TS65DGC11廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：