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RGW80TK65DGVC11

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 TO-3PFM
數(shù)量:
 8801  
說明:
 IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
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RGW80TK65DGVC11-TO-3PFM圖片

RGW80TK65DGVC11 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-3PFM,SC-93-3
安裝類型:通孔
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):92 ns
測試條件:400V,40A,10 歐姆,15V
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:44ns/143ns
柵極電荷:110 nC
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量:760μJ(開),720μJ(關(guān))
功率 - 最大值:81 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,40A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):160 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):39 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
IGBT 類型:溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RGW80TK65DGVC11的詳細(xì)信息,包括RGW80TK65DGVC11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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