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RGW50TK65DGVC11

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-3PFM
數(shù)量：: 9252
說(shuō)明：: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM

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RGW50TK65DGVC11 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3PFM，SC-93-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：92 ns
測(cè)試條件：400V，25A，10歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：35ns/102ns
柵極電荷：73 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：390μJ（開(kāi)），430μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：67 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，25A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：100 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGW50TK65DGVC11的詳細(xì)信息，包括RGW50TK65DGVC11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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