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RGT8NS65DGTL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: LPDS
數(shù)量：: 63
說明：: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS

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RGT8NS65DGTL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：40 ns
測試條件：400V，4A，50歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：17ns/69ns
柵極電荷：13.5 nC
輸入類型：標準
開關(guān)能量：-
功率 - 最大值：65 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：12 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：-
系列：剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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