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RGT8NS65DGC9

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 9542
說(shuō)明：: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262

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RGT8NS65DGC9 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：40 ns
測(cè)試條件：400V，4A，50歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：17ns/69ns
柵極電荷：13.5 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：-
功率 - 最大值：65 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：12 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGT8NS65DGC9的詳細(xì)信息，包括RGT8NS65DGC9廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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