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PTFA181001GLV1R250

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-36248-2
數(shù)量:
 2835  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD EPOC
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PTFA181001GLV1R250-PG-36248-2圖片

PTFA181001GLV1R250 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

功率耗散:407 W
安裝風格:SMD/SMT
包裝形式:Reel
封裝形式:PG-36248-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續(xù)電流:750 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:100 W
增益:16.5 dB
頻率:1.8 GHz to 1.88 GHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA181001GLV1R250的詳細信息,包括PTFA181001GLV1R250廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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