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PTFA190451E V4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36265-2
數(shù)量：: 5769
說(shuō)明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA190451E V4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：FA190451EV4XP PTFA190451EV4XWSA1 SP000465598
工廠包裝數(shù)量：50
系列：PTFA190451
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.91 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：211 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tray
封裝形式：H-36265-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：450 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：45 W
增益：17.5 dB
頻率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
產(chǎn)品種類(lèi)：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA190451E V4的詳細(xì)信息，包括PTFA190451E V4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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