色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<noscript id="46oaq"></noscript>

<sup id="46oaq"></sup>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 射頻半導(dǎo)體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > PTFA190451E V1

PTFA190451E V1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36265-2
數(shù)量：: 2862
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 45 W

一、本商品被瀏覽0次.

PTFA190451E V1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.91 Ohms
功率耗散：211 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tray
封裝形式：H-36265-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：450 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：45 W
增益：17.5 dB
頻率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA190451E V1的詳細(xì)信息，包括PTFA190451E V1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管

最新產(chǎn)品：