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PHK4NQ10T,518

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 8-SO
數量：
 4761  
說明：
 MOSFET N-CH TRENCHMOSTM TRANSISTOR
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PHK4NQ10T,518-8-SO圖片

PHK4NQ10T,518 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數量：2500
功率耗散：2500 mW
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：SOT-96
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：70 mOhms
漏極連續電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PHK4NQ10T,518的詳細信息，包括PHK4NQ10T,518廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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