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PHK4NQ20T,518

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 8-SO
數(shù)量:
 4770  
說明:
 MOSFET N-CH 200V 4A Trans MOSFET
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PHK4NQ20T,518-8-SO圖片

PHK4NQ20T,518 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:35 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:10 ns
功率耗散:6.25 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:14 ns
包裝形式:Reel - 13 in
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.13 Ohms
漏極連續(xù)電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PHK4NQ20T,518的詳細(xì)信息,包括PHK4NQ20T,518廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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