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PHKD6N02LT,518

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 8-SO
數量：
 4797  
說明：
 MOSFET TAPE13 MOSFET
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PHKD6N02LT,518-8-SO圖片

PHKD6N02LT,518 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：/T3 PHKD6N02LT
典型關閉延遲時間：50 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：49 ns
功率耗散：4.17 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：23 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.02 Ohms
漏極連續電流：10.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHKD6N02LT,518的詳細信息，包括PHKD6N02LT,518廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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