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PHB110NQ06LT,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: D2PAK
數量：: 3852
說明：: MOSFET N-CH TRENCH 55V

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PHB110NQ06LT,118 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：/T3 PHB110NQ06LT
典型關閉延遲時間：131 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：123 ns
功率耗散：200 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：45 nC
下降時間：86 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7 mOhms
漏極連續電流：75 A
閘/源擊穿電壓：15 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHB110NQ06LT,118的詳細信息，包括PHB110NQ06LT,118廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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