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PHB110NQ08T,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 3888
說明：: MOSFET TRENCH-75

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PHB110NQ08T,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：/T3 PHB110NQ08T
典型關(guān)閉延遲時間：183 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：107 ns
功率耗散：230 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：100 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-404
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.009 Ohms
漏極連續(xù)電流：75 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHB110NQ08T,118的詳細(xì)信息，包括PHB110NQ08T,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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