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PHB112N06T,118

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 3897  
說明:
 MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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PHB112N06T,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:100 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時(shí)間:94 ns
功率耗散:200 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:80 ns
包裝形式:Reel - 13 in
封裝形式:D2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.008 Ohms
漏極連續(xù)電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:NXP

以上是PHB112N06T,118的詳細(xì)信息,包括PHB112N06T,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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