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NVD5803NT4G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 DPAK
數量：
 4797  
說明：
 MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM
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NVD5803NT4G-DPAK圖片

NVD5803NT4G PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：51 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：13.6 S
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5.7 mOhms
漏極連續電流：85 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：ON Semiconductor

以上是NVD5803NT4G的詳細信息，包括NVD5803NT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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