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NVD5807NT4G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 DPAK
數量:
 7263  
說明:
 MOSFET POWER MOSFET
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NVD5807NT4G-DPAK圖片

NVD5807NT4G PDF參數資料

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中文參數如下:

上升時間:20.4 ns
功率耗散:33 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:12.6 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :8.1 S
下降時間:2 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):20 mOhms
漏極連續電流:23 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NVD5807NT4G的詳細信息,包括NVD5807NT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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