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NVD5806NT4G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 DPAK
數量：
 378  
說明：
 MOSFET POWER MOSFET 40V
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NVD5806NT4G-DPAK圖片

NVD5806NT4G PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：40 W
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：12.7 mOhms
漏極連續電流：33 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NVD5806NT4G的詳細信息，包括NVD5806NT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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