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JANTX1N5806US

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 2724  
說明:
 DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
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JANTX1N5806US-圖片

JANTX1N5806US PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:D-5A
封裝/外殼:SQ-MELF,A
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:25pF @ 10V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:1 μA @ 150 V
反向恢復(fù)時間 (trr):25 ns
速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io):1A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Military, MIL-PRF-19500/477
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

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