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JANTX1N5811US

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數量：: 2769
說明：: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

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JANTX1N5811US PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：B，SQ-MELF
封裝/外殼：SQ-MELF，B
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：60pF @ 10V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 150 V
反向恢復時間 (trr)：30 ns
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：875 mV @ 4 A
電流 - 平均整流 (Io)：3A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：150 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：Military, MIL-PRF-19500/477
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是JANTX1N5811US的詳細信息，包括JANTX1N5811US廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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