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JANTX1N5809

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數量:
 2751  
說明:
 DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
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JANTX1N5809-圖片

JANTX1N5809 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:B,軸向
封裝/外殼:B,軸向
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時電容:60pF @ 10V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5 μA @ 100 V
反向恢復時間 (trr):30 ns
速度:快速恢復 = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):875 mV @ 4 A
電流 - 平均整流 (Io):3A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V
技術:標準
產品狀態:在售
包裝:Military, MIL-PRF-19500/477
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

以上是JANTX1N5809的詳細信息,包括JANTX1N5809廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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