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IXTP1N100

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-220-3
數量:
 7479  
說明:
 MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
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IXTP1N100-TO-220-3圖片

IXTP1N100 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:20 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:19 ns
功率耗散:54 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:18 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):11 Ohms
漏極連續電流:1.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTP1N100的詳細信息,包括IXTP1N100廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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