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IXTP1R4N100P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 8154
說明：: MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds

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IXTP1R4N100P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：65 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：35 ns
功率耗散：63 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：28 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：11 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTP1R4N100P的詳細信息，包括IXTP1R4N100P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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