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IXTP1R6N50D2

廠家：: Ixys
封裝：: TO-220-3
數量：: 8190
說明：: MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

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IXTP1R6N50D2 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：35 ns
上升時間：70 ns
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：23.7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1.75 S
下降時間：41 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220 AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.3 Ohms
漏極連續電流：1.6 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTP1R6N50D2的詳細信息，包括IXTP1R6N50D2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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