色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPSH4N03LA G

IPSH4N03LA G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3-11
數量：: 8469
說明：: MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

一、本商品被瀏覽0次.

IPSH4N03LA G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.4 毫歐 @ 60A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：90A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 40µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：3200pF @ 15V
功率 - 最大：94W
安裝類型：通孔

以上是IPSH4N03LA G的詳細信息，包括IPSH4N03LA G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：