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IPSH6N03LBG

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-251
數量:
 8505  
說明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPSH6N03LBG PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:25 ns
上升時間:6 ns
功率耗散:83 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:4 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-251
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):9.3 m Ohms
漏極連續電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPSH6N03LBG的詳細信息,包括IPSH6N03LBG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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