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IPSH4N03LAG

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-251
數量：: 8478
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPSH4N03LAG PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：29 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：94 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4.6 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7.6 m Ohms
漏極連續電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPSH4N03LAG的詳細信息，包括IPSH4N03LAG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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