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IPI77N06S3-09

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO262-3
數(shù)量:
 378  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 55V 77A
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IPI77N06S3-09-PG-TO262-3圖片

IPI77N06S3-09 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:IPI77N06S309XK
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:29 ns
上升時(shí)間:51 ns
功率耗散:107 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:51 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):9.1 m Ohms
漏極連續(xù)電流:77 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPI77N06S3-09的詳細(xì)信息,包括IPI77N06S3-09廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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