色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPI80N04S2-H4

IPI80N04S2-H4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 396
說明：: MOSFET N-CH 40V 80A

一、本商品被瀏覽0次.

IPI80N04S2-H4 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPI80N04S2H4AKSA1 IPI80N04S2H4XK SP000218171
典型關(guān)閉延遲時間：46 ns
上升時間：63 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：22 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4 m Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI80N04S2-H4的詳細(xì)信息，包括IPI80N04S2-H4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1