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IPI80N04S2H4

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-262
數(shù)量:
 1962  
說明:
 MOSFET
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IPI80N04S2H4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:46 ns
工廠包裝數(shù)量:500
上升時間:63 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:22 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):4 m Ohms
漏極連續(xù)電流:80 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPI80N04S2H4的詳細信息,包括IPI80N04S2H4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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