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IPI057N08N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數(shù)量：: 4374
說明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 80V 80A

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IPI057N08N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPI057N08N3GXK IPI057N08N3GXKSA1 SP000680662
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：38 ns
工廠包裝數(shù)量：500
上升時(shí)間：66 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0057 Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

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