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IPI070N06N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數量：: 4419
說明：: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

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IPI070N06N G PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7 毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 180µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：118nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：4100pF @ 30V
功率 - 最大：250W
安裝類型：通孔

以上是IPI070N06N G的詳細信息，包括IPI070N06N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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