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IPI05CN10N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數量：: 4383
說明：: MOSFET N-CH 100V 100A

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IPI05CN10N G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPI05CN10NGXK
典型關閉延遲時間：64 ns
上升時間：42 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：21 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0054 Ohms
漏極連續電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI05CN10N G的詳細信息，包括IPI05CN10N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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