色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPD25N06S4L-30

IPD25N06S4L-30

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數量：: 5911
說明：: MOSFET N-Channel 60V MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IPD25N06S4L-30 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：IPD25N06S4L30ATMA1 IPD25N06S4L30ATMA2 SP000481508
典型關閉延遲時間：15 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：1 ns
功率耗散：29 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：12.5 nC
下降時間：2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TO252-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：30 mOhms
漏極連續電流：25 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD25N06S4L-30的詳細信息，包括IPD25N06S4L-30廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1