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IPD30N03S4L-09

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數量:
 3456  
說明:
 MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V
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IPD30N03S4L-09-TO-252圖片

IPD30N03S4L-09 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09XT SP000415578
典型關閉延遲時間:12 ns
工廠包裝數量:1
功率耗散:42000 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):9 mOhms
漏極連續電流:30 A
閘/源擊穿電壓:+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD30N03S4L-09的詳細信息,包括IPD30N03S4L-09廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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