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IPD26N06S2L-35

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 756  
說明:
 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A
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IPD26N06S2L-35-TO-252圖片

IPD26N06S2L-35 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPD26N06S2L35ATMA1 IPD26N06S2L35XT SP000252165
典型關(guān)閉延遲時間:26 ns
上升時間:18 ns
功率耗散:68 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:11 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):35 m Ohms
漏極連續(xù)電流:26 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD26N06S2L-35的詳細(xì)信息,包括IPD26N06S2L-35廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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