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IPD25CN10N G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252
數量：
 5212  
說明：
 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 35A
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IPD25CN10N G-TO-252圖片

IPD25CN10N G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPD25CN10NGBUMA1 IPD25CN10NGXT SP000096456
典型關閉延遲時間：13 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：4 ns
功率耗散：71 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.025 Ohms
漏極連續電流：35 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD25CN10N G的詳細信息，包括IPD25CN10N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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