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IPB011N04N G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 963  
說明:
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A
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IPB011N04N G-TO-263圖片

IPB011N04N G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGXT SP000388298
典型關閉延遲時間:63 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:10 ns
功率耗散:250 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:13 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0011 Ohms
漏極連續電流:180 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB011N04N G的詳細信息,包括IPB011N04N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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