點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：70
上升時間：45 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：10 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.063 Ohms
漏極連續(xù)電流：16.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQU20N06TU的詳細信息，包括FQU20N06TU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

STD140N6F7

SIR692DP-T1-RE3

BSC010NE2LSATMA1

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ

STD5N80K5

IPD055N08NF2SATMA1