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FQU2N100TU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I-PAK
數量:
 3897  
說明:
 MOSFET 1000V/1.6A/N-CH
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FQU2N100TU-I-PAK圖片

FQU2N100TU PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:FQU2N100TU_NL
典型關閉延遲時間:25 ns
工廠包裝數量:70
上升時間:30 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :1.9 S
下降時間:35 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):7.1 Ohms
漏極連續電流:1.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQU2N100TU的詳細信息,包括FQU2N100TU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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