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FQU2N30TU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: IPAK
數量：: 3411
說明：: MOSFET

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FQU2N30TU PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：5.5 ns
上升時間：26 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：21 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.7 Ohms
漏極連續電流：1.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：300 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQU2N30TU的詳細信息，包括FQU2N30TU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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