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FDFMA2P853T

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬），7 引線
數(shù)量：: 8118
說明：: MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench

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FDFMA2P853T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：15 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：11 ns
功率耗散：1400 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：120 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDFMA2P853T的詳細(xì)信息，包括FDFMA2P853T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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