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FDFME3N311ZT

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 6-MicroFET（1.6x1.6）
數(shù)量：: 1215
說明：: MOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode

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FDFME3N311ZT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：35 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時間：16 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：2.8 S
下降時間：2.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：299 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.6 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDFME3N311ZT的詳細(xì)信息，包括FDFME3N311ZT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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