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FDFMA2P859T

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: MicroFET 2x2 薄型
數量：: 8154
說明：: MOSFET PT2 Pch 20V/8V & Schottky Diode

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FDFMA2P859T PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：15 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：11 ns
功率耗散：1.4 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：7 S
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：120 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：- 3 A
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDFMA2P859T的詳細信息，包括FDFMA2P859T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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