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FDC645N

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SuperSOT?-6
數(shù)量:
 5297  
說明:
 MOSFET SSOT-6 N-CH
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FDC645N-SuperSOT?-6圖片

FDC645N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:FDC645N_NL
典型關(guān)閉延遲時間:35 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:9 ns
功率耗散:1.6 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :33 S
下降時間:9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.03 Ohms
漏極連續(xù)電流:5.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC645N的詳細信息,包括FDC645N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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