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FDC6506P_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SSOT-6
數量:
 4608  
說明:
 MOSFET SSOT-6 P-CH -30V
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FDC6506P_Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:14 ns
上升時間:8 ns
功率耗散:0.96 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.170 Ohms
漏極連續電流:- 1.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC6506P_Q的詳細信息,包括FDC6506P_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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