色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<button id="6mmq0"></button>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDC655AN

FDC655AN

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SuperSOT?-6
數量：: 5391
說明：: MOSFET SSOT-6 N-CH 30V

一、本商品被瀏覽0次.

FDC655AN PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：FDC655AN_NL
典型關閉延遲時間：18 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：10 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：4.5 S
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-7
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.023 Ohms
漏極連續電流：6.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC655AN的詳細信息，包括FDC655AN廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ