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FDC638P_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SSOT-6
數量:
 12173  
說明:
 MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
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FDC638P_Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:33 ns
上升時間:9 ns
功率耗散:1.6 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.048 Ohms
漏極連續電流:- 4.5 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC638P_Q的詳細信息,包括FDC638P_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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