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FDC6401N

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SuperSOT?-6
數量:
 5175  
說明:
 MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
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FDC6401N-SuperSOT?-6圖片

FDC6401N PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:FDC6401N_NL
典型關閉延遲時間:13 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:7 ns
功率耗散:0.96 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降時間:7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.07 Ohms
漏極連續電流:3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC6401N的詳細信息,包括FDC6401N廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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