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FDC6401N_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SSOT-6
數(shù)量:
 4590  
說明:
 MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
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FDC6401N_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:13 ns
上升時間:7 ns
功率耗散:0.96 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.07 Ohms
漏極連續(xù)電流:3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC6401N_Q的詳細信息,包括FDC6401N_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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