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FDC6401N_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數(shù)量：: 4590
說明：: MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench

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FDC6401N_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：13 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：0.96 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.07 Ohms
漏極連續(xù)電流：3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6401N_Q的詳細信息，包括FDC6401N_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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