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FDC636P

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SuperSOT?-6
數量：
 5013  
說明：
 MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
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FDC636P-SuperSOT?-6圖片

FDC636P PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：8 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：26 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：4 S
下降時間：26 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.13 Ohms
漏極連續電流：2.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC636P的詳細信息，包括FDC636P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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