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FDC636P

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SuperSOT?-6
數量:
 5013  
說明:
 MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
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FDC636P-SuperSOT?-6圖片

FDC636P PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:8 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:26 ns
功率耗散:1.6 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :4 S
下降時間:26 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.13 Ohms
漏極連續電流:2.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC636P的詳細信息,包括FDC636P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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